ROHM Semiconductor
RV2C002UNT2L シングルFET、MOSFET
RV2C002UNT2L
278-RV2C002UNT2L
ROHM Semiconductor-RV2C002UNT2L-datasheets-12411456.pdf
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
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技術仕様
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
製品の状態
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
リーチステータス
製造元
Vgs (最大)
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
動作温度
FET機能
ECCN
取り付けタイプ
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
シリーズ
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
RV2C002UNT2L 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード RV2C002UNT2L
VML1006 T2L Taping Spec RV2C002UNT2L VML0806 MOS Reliability Test Transistor, MOSFET Flammability VML1006AuSi Inner Structure VML1006 T2L Taping Spec RV2C002UN Spice Model RV2C002UN ESD Data Transistor Whisker Info Transistor, MOSFET Level 1 MSL 関連部品
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