ROHM Semiconductor
RQ6E055BNTCR シングルFET、MOSFET
RQ6E055BNTCR
278-RQ6E055BNTCR
ROHM Semiconductor-RQ6E055BNTCR-datasheets-7319743.pdf
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6
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技術仕様
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
製品の状態
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
リーチステータス
製造元
Vgs (最大)
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
動作温度
FET機能
ECCN
取り付けタイプ
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
シリーズ
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
RQ6E055BNTCR 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード RQ6E055BNTCR
RQ6E055BNTCR TSMT6MSCu Inner Structure Transistor, MOSFET Flammability TSMT6 Part Marking TSMT6 TR Taping Spec RQ6E055BN TSMT6 TR Taping Spec RQ6E055BN Spice Model RQ6E055BN ESD Data Transistor Whisker Info TSMT6M-Cu-HF Constitution Material List Transistor, MOSFET Level 1 MSL 関連部品
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配送方法
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