Vishay / Siliconix
SISH536DN-T1-GE3 シングルFET、MOSFET
SISH536DN-T1-GE3
278-SISH536DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix-SISH536DN-T1-GE3-datasheets-10783051.pdf
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
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技術仕様
動作温度
FET機能
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
ECCN
取り付けタイプ
製品の状態
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
シリーズ
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
製造元
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
Vgs (最大)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
SISH536DN-T1-GE3 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード SISH536DN-T1-GE3
Manufacturing Capacity Expansion 27/Jul/2023 SISH536DN SISH536DN 関連部品
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配送方法
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