Vishay / Siliconix
SIRA02DP-T1-GE3 シングルFET、MOSFET
SIRA02DP-T1-GE3
278-SIRA02DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix-SIRA02DP-T1-GE3-datasheets-5606551.pdf
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
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技術仕様
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
製品の状態
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
リーチステータス
製造元
Vgs (最大)
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
動作温度
FET機能
ECCN
取り付けタイプ
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
シリーズ
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
SIRA02DP-T1-GE3 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード SIRA02DP-T1-GE3
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配送方法
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