Vishay / Siliconix
SIHA11N80AE-GE3 シングルFET、MOSFET
SIHA11N80AE-GE3
278-SIHA11N80AE-GE3
Vishay / Siliconix-SIHA11N80AE-GE3-datasheets-9505065.pdf
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
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技術仕様
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
製品の状態
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
製造元
Vgs (最大)
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
動作温度
FET機能
ECCN
取り付けタイプ
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
シリーズ
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
SIHA11N80AE-GE3 文書
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配送方法
DHL、FedEx、UPS、EMS、SFエクスプレス、登録航空便の国際配送サービスを提供
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