Vishay / Siliconix_SIDR626EP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
SIDR626EP-T1-RE3
シングルFET、MOSFET

Vishay / Siliconix
SIDR626EP-T1-RE3
278-SIDR626EP-T1-RE3
Ersa
Vishay / Siliconix-SIDR626EP-T1-RE3-datasheets-7627381.pdf
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
在庫あり : 3112

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    Quality Policy

    技術仕様

    FETタイプ
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
    製品の状態
    サプライヤーデバイスパッケージ
    ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
    消費電力(最大)
    パッケージ/ケース
    テクノロジー
    リーチステータス
    製造元
    Vgs (最大)
    RoHS ステータス
    感湿性レベル (MSL)
    動作温度
    FET機能
    ECCN
    取り付けタイプ
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs
    Vgs(th) (最大) @ Id
    シリーズ
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
    HTSUS
    パッケージ

    SIDR626EP-T1-RE3 文書

    データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード SIDR626EP-T1-RE3

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