Vishay / Siliconix
SIA112LDJ-T1-GE3 シングルFET、MOSFET
SIA112LDJ-T1-GE3
278-SIA112LDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix-SIA112LDJ-T1-GE3-datasheets-5564175.pdf
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
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技術仕様
動作温度
FET機能
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
ECCN
取り付けタイプ
製品の状態
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
シリーズ
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
製造元
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
Vgs (最大)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
感湿性レベル (MSL)
SIA112LDJ-T1-GE3 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード SIA112LDJ-T1-GE3
Manufacturing Capacity Expansion 27/Jul/2023 SIA112LDJ 関連部品
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発送は日曜日を除き、1日1回午後5時頃に行われます。発送後は、選択した宅配業者に応じて、通常5～7営業日でお届けする予定です。
配送方法
DHL、FedEx、UPS、EMS、SFエクスプレス、登録航空便の国際配送サービスを提供
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