Vishay / Siliconix
SI7998DP-T1-GE3 FET、MOSFETアレイ
SI7998DP-T1-GE3
289-SI7998DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix-SI7998DP-T1-GE3-datasheets-7539745.pdf
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
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技術仕様
動作温度
FET機能
構成
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
ECCN
取り付けタイプ
製品の状態
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
シリーズ
パッケージ/ケース
テクノロジー
パワー - 最大
製造元
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
HTSUS
パッケージ
RoHS ステータス
基本製品番号
感湿性レベル (MSL)
SI7998DP-T1-GE3 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード SI7998DP-T1-GE3
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配送方法
DHL、FedEx、UPS、EMS、SFエクスプレス、登録航空便の国際配送サービスを提供
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