Vishay General Semiconductor – Diodes Division_ES2GHE3_A/H

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ES2GHE3_A/H
単一ダイオード

ES2GHE3_A/H
280-ES2GHE3_A/H
Ersa
Vishay General Semiconductor – Diodes Division-ES2GHE3_A/H-datasheets-7726522.pdf
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
在庫あり : 30035

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    ISO9001
    Quality Policy

    技術仕様

    スピード
    静電容量 @ Vr、F
    逆回復時間 (trr)
    ECCN
    学年
    取り付けタイプ
    製品の状態
    サプライヤーデバイスパッケージ
    電流 - 逆漏れ @ Vr
    シリーズ
    資格
    パッケージ/ケース
    テクノロジー
    リーチステータス
    電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If
    製造元
    電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)
    HTSUS
    パッケージ
    電流 - 平均整流 (Io)
    動作温度 - ジャンクション
    RoHS ステータス
    基本製品番号
    感湿性レベル (MSL)

    ES2GHE3_A/H 文書

    データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード ES2GHE3_A/H

    Ersa Assembly site 28/Jun/2022      
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    Ersa ES2F & ES2G      

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