Vishay General Semiconductor – Diodes Division
BYG10K-E3/TR3 単一ダイオード
BYG10K-E3/TR3
280-BYG10K-E3/TR3
Vishay General Semiconductor – Diodes Division-BYG10K-E3/TR3-datasheets-6319233.pdf
DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
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技術仕様
スピード
静電容量 @ Vr、F
逆回復時間 (trr)
ECCN
取り付けタイプ
製品の状態
サプライヤーデバイスパッケージ
電流 - 逆漏れ @ Vr
シリーズ
パッケージ/ケース
テクノロジー
リーチステータス
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If
製造元
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)
HTSUS
パッケージ
電流 - 平均整流 (Io)
動作温度 - ジャンクション
RoHS ステータス
基本製品番号
感湿性レベル (MSL)
BYG10K-E3/TR3 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード BYG10K-E3/TR3
Additional In-House Backend Assembly Site 09/Nov/2023 BYG10D,G,J,K,M,Y Packaging Information BYG10D,G,J,K,M,Y 関連部品
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配送方法
DHL、FedEx、UPS、EMS、SFエクスプレス、登録航空便の国際配送サービスを提供
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