STMicroelectronics
STB18NM80 シングルFET、MOSFET
STB18NM80
278-STB18NM80
STMicroelectronics-STB18NM80-datasheets-7601564.pdf
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
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技術仕様
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
製品の状態
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
リーチステータス
製造元
Vgs (最大)
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
動作温度
FET機能
ECCN
取り付けタイプ
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
シリーズ
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
STB18NM80 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード STB18NM80
STx18NM80 Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 Box Label Chg 28/Jul/2016 STB18NM80 View All Specifications STx18NM80 D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013 関連部品
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