onsemi
NXH003P120M3F2PTNG FET、MOSFETアレイ
NXH003P120M3F2PTNG
289-NXH003P120M3F2PTNG
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SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
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技術仕様
動作温度
FET機能
構成
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
取り付けタイプ
製品の状態
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
シリーズ
パッケージ/ケース
テクノロジー
パワー - 最大
リーチステータス
製造元
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
パッケージ
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
NXH003P120M3F2PTNG 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード NXH003P120M3F2PTNG
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発送は日曜日を除き、1日1回午後5時頃に行われます。発送後は、選択した宅配業者に応じて、通常5～7営業日でお届けする予定です。
配送方法
DHL、FedEx、UPS、EMS、SFエクスプレス、登録航空便の国際配送サービスを提供
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