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NTLJD4150PTBG FET、MOSFETアレイ
NTLJD4150PTBG
289-NTLJD4150PTBG
onsemi-NTLJD4150PTBG-datasheets-7159632.pdf
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
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技術仕様
動作温度
FET機能
構成
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
ECCN
取り付けタイプ
製品の状態
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
シリーズ
パッケージ/ケース
テクノロジー
パワー - 最大
リーチステータス
製造元
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
感湿性レベル (MSL)
NTLJD4150PTBG 文書
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NTLJD4150P Multiple Devices 19/Dec/2008 NTLJD4150P onsemi RoHS onsemi REACH 関連部品
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