onsemi
FGA50N100BNTDTU シングルIGBT
FGA50N100BNTDTU
279-FGA50N100BNTDTU
onsemi-FGA50N100BNTDTU-datasheets-6403827.pdf
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
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技術仕様
逆回復時間 (trr)
製品の状態
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)
Td (オン/オフ) @ 25°C
サプライヤーデバイスパッケージ
パッケージ/ケース
リーチステータス
製造元
IGBTタイプ
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
動作温度
入力方式
テスト条件
スイッチングエネルギー
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
ECCN
取り付けタイプ
電流 - コレクタパルス (Icm)
シリーズ
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic
ゲートチャージ
パワー - 最大
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
FGA50N100BNTDTU 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード FGA50N100BNTDTU
Mold compound change 17/Sep/2019 FGA50N100BNTD Mult Devices 24/Oct/2017 Packing quantity increase 28/Dec/2020 Mult Dev EOL 29/Jan/2021 FGA50N100BNTD Logo 17/Aug/2017 Dimension/Color Change 24/Feb/2021 onsemi RoHS Material Declaration FGA50N100BNTDTU 関連部品
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