onsemi
FDN352AP シングルFET、MOSFET
FDN352AP
278-FDN352AP
onsemi-FDN352AP-datasheets-10571322.pdf
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
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技術仕様
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
製品の状態
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
リーチステータス
製造元
Vgs (最大)
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
動作温度
FET機能
ECCN
取り付けタイプ
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
シリーズ
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
FDN352AP 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード FDN352AP
FDN352AP Assembly Chgs 9/Dec/2020 FDN352AP Mult Devices 24/Oct/2017 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021 Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022 onsemi RoHS onsemi REACH Material Declaration FDN352AP 関連部品
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配送方法
DHL、FedEx、UPS、EMS、SFエクスプレス、登録航空便の国際配送サービスを提供
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