Diodes Incorporated_DMN2016LFG-7

Diodes Incorporated
DMN2016LFG-7
FET、MOSFETアレイ

Diodes Incorporated
DMN2016LFG-7
289-DMN2016LFG-7
Ersa
Diodes Incorporated-DMN2016LFG-7-datasheets-6293969.pdf
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
在庫あり : 24000

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    ISO9001
    Quality Policy

    技術仕様

    動作温度
    FET機能
    構成
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
    ECCN
    取り付けタイプ
    製品の状態
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs
    Vgs(th) (最大) @ Id
    サプライヤーデバイスパッケージ
    ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
    シリーズ
    パッケージ/ケース
    テクノロジー
    パワー - 最大
    リーチステータス
    製造元
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
    HTSUS
    パッケージ
    RoHS ステータス
    基本製品番号
    感湿性レベル (MSL)

    DMN2016LFG-7 文書

    データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード DMN2016LFG-7

    Ersa Mult Dev Assembly Chgs 15/May/2019      
    Ersa DMN2016LFG      
    Ersa DMN2016LFG      
    Ersa Diodes Environmental Compliance Cert      

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