Diodes Incorporated
DMG1012UW-7 シングルFET、MOSFET
DMG1012UW-7
278-DMG1012UW-7
Diodes Incorporated-DMG1012UW-7-datasheets-4640033.pdf
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
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技術仕様
FETタイプ
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
製品の状態
サプライヤーデバイスパッケージ
ドレイン-ソース電圧 (Vdss)
消費電力(最大)
パッケージ/ケース
テクノロジー
リーチステータス
製造元
Vgs (最大)
RoHS ステータス
感湿性レベル (MSL)
動作温度
FET機能
ECCN
取り付けタイプ
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
Vgs(th) (最大) @ Id
シリーズ
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
HTSUS
パッケージ
基本製品番号
DMG1012UW-7 文書
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロード DMG1012UW-7
Assembly REV 07/Sep/2021 DMG1012UW Multiple Device Changes 29/Apr/2013 DMG1012UW Bond Wire 3/May/2011 Diodes Environmental Compliance Cert 関連部品
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配送方法
DHL、FedEx、UPS、EMS、SFエクスプレス、登録航空便の国際配送サービスを提供
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